
1、工作條件:
(1)供電電源:探測(cè)器使用200V干電池,測(cè)量主機(jī) AC 220±10%。
(2)環(huán)境條件:溫度-10℃ ~ +50℃;濕度≤85% RH (無凝結(jié))。
2、技術(shù)要求
(1)探 測(cè) 器:三只金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器,Φ20mm一只,Φ26mm兩只;
(2)α 效 率:對(duì)239Pu標(biāo)準(zhǔn)源大于80%/2π;α本底:小于0.8cph;
(3)β 效 率:對(duì)90Sr+90Y標(biāo)準(zhǔn)源大于45%/2π;β本底:小于0.2cpm;
(4)串 道:α對(duì)β道計(jì)數(shù)≤±1%,β對(duì)α道計(jì)數(shù)約為零;
(5)精 確 度:≤±10%,連續(xù)測(cè)量10個(gè)小時(shí)變化率≤±5%。
3、基本配置
(1) 主機(jī):1臺(tái)。
(2)計(jì)算機(jī)(雙核處理器,2G內(nèi)存,500G硬盤,DVD刻錄光盤,19寸液晶顯示器)和激光打印機(jī)各 1套。
(3)陶瓷纖維馬弗爐 1臺(tái)(電熱板功率1000W可調(diào)溫)。
(4)電子天平1臺(tái)(精度:可讀0.1mg)。