少子壽命測試儀 型號：TR-LT-2

 

是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量，是半導體的常規測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶，以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

本儀器根據通用方法高頻光電導衰退法的原理設計，由穩壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。

技　術　指　標 ：

測試單晶電阻率范圍  >2Ω.cm  可測單晶少子壽命范圍  5μS～7000μS  配備光源類型  波長：1.09μm；余輝<1 μS；  閃光頻率為：20～30次／秒；  閃光頻率為：20～30次／秒；  高頻振蕩源  用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz  前置放大器  放大倍數約25，頻寬2 Hz-1 MHz  儀器測量重復誤差  <±20％  測量方式  采用對標準曲線讀數方式  儀器消耗功率  <25W  儀器工作條件  溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz  可測單晶尺寸  斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；  縱向臥測：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；  配用示波器  頻寬0—20MHz；  電壓靈敏：10mV／cm；